IRFH5020
IRFH5020,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=55.0mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TTK101MFV-A,L37F(B)
TTK101MFV-A,L37F(B),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:2 V; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRFR3518
IRFR3518,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=29.0mOhms,Id=38A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF540ZS
IRF540ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=26.5mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR7740
IRFR7740,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-PAK封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.2mOhms,Id=87A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH4210D
IRFH4210D,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.1mOhms,Id=266A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3007S
IRF3007S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.6mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK3557-7-TB-E
2SK3557-7-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大门源电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...
ATF-34143-TR2G
ATF-34143-TR2G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:145 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
IRF7473
IRF7473,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=26.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3520S03-A
NE3520S03-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
IRF7854
IRF7854,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK170BL(F)
2SK170BL(F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:12 mA; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF1324
IRF1324,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=24V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.5mOhms,Id=353A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8307
IRFH8307,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SI4420DY
SI4420DY,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3503M04-A
NE3503M04-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Su...
IRFU3707Z
IRFU3707Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.5mOhms,Id=39A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK3796-4-TL-E
2SK3796-4-TL-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SMCP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
2SK715V
2SK715V,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SPA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...