IRFH5301
IRFH5301,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.85mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3306
IRFB3306,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.2mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3514S02-A
NE3514S02-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
IRF5802
IRF5802,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=1200.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8301M
IRF8301M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.5mOhms,Id=192A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB4030
IRLB4030,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=4.3mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU3410
IRFU3410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=39.0mOhms,Id=31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7769L1
IRF7769L1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,Id=124A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3315S
IRF3315S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=82.0mOhms,Id=21A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3503M04-T2-A
NE3503M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式...
IRF1310NS
IRF1310NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=36.0mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3717
IRF3717,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLH6224
IRLH6224,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1407
IRF1407,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.8mOhms,Id=130A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J112_D74Z
J112_D74Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7815
IRF7815,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=43.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6635
IRF6635,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK596S-B
2SK596S-B,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SPA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF3710L
IRF3710L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=23mOhms,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFR30,235
BFR30,235,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...