VS-CPV364M4KPBF
VS-CPV364M4KPBF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:IMS-2-13,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:13; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:24 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:07...
TIM5359-4UL
TIM5359-4UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:3500 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFH4213D
IRFH4213D,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.35mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J112G
J112G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:5(Min) mA; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:-35 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
FZ400R12KE3
FZ400R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:650 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRF5803
IRF5803,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrdss=-40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=112.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=190.0mOhms,Qg Typ=25.0nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,库...
ATF-531P8-TR1
ATF-531P8-TR1,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:LPCC-8,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:300 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-7 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
IRF7328
IRF7328,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=32mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGI02N120XKSA1
SGI02N120XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-262-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:6.2 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFSL7437
IRFSL7437,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=250A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FB20R06KL4_B1
FB20R06KL4_B1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:22-Pin EASY2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:22; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
ISL9V5036P3_F085
ISL9V5036P3_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:360 V; 最大连续集电极电流:46 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:07...
IRFL4310
IRFL4310,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL3803
IRL3803,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGR4045D
IRGR4045D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=6.0A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSR56,215
BSR56,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
IRFS7437-7P
IRFS7437-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=295A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6646
IRF6646,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MN封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-511P8-BLK
ATF-511P8-BLK,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:LPCC-8,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:1000 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
IRG8CH97K10F
IRG8CH97K10F,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=100A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562