注册账号 | 忘记密码
IRF8313,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=21.6mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
74HCT138PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
74HC02D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO...
SN74LVC1G14DBVR低功耗CMOS逻辑IC由TI原...
74HCT86PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
AT89C51RC-24PU单片机,低功耗高性能的CMOS ...
29C040A-90TU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产...
AT29C020-12JC存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
74HC237D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
ATMEGA8L-8PU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产...