FF450R12IE4
FF450R12IE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:PRIME2-10,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:450 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRGP6630D-EPBF
IRGP6630D-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:47 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报...
FS75R12KE3_B3
FS75R12KE3_B3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:36-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:36; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0...
IRFSL7762
IRFSL7762,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.7mOhms,Id=85A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB3034
IRLB3034,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=343A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGZ100N65H5XKSA1
IGZ100N65H5XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:161 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工...
IRGP4690DPBF
IRGP4690DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报价...
IRF7946
IRF7946,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=198A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7241
IRF7241,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=41.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=70.0mOhms,Qg Typ=53.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRGC15B120UB
IRGC15B120UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=3.67V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-GB70LA60UF
VS-GB70LA60UF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Vishay,封装:SOT-227-4,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:111 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFU9120N
IRFU9120N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=480mOhms,Qg Typ=18nC,Rth(JC)=3.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=39W,Id@TC 25C=-4.1A,库存...
IRFB4310Z
IRFB4310Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=127A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PSH71KD
IRG4PSH71KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-274AA封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=42A,Vce(ON)@25C typ=2.97V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3509M04-A
NE3509M04-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:60 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Su...
STGB19NC60WT4
STGB19NC60WT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
CLF1G0035-100PU
CLF1G0035-100PU,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:CDFM-4,参数:配置:Dual Common Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150(Min) V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
FS50R07W1E3B11ABOMA1
FS50R07W1E3B11ABOMA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:18-Pin EASY1B,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:18; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-4...
IRF3205L
IRF3205L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGW30N60H3FKSA1
IGW30N60H3FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...