TIM0910-8
TIM0910-8,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11C1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:10400 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FZ1800R12KF4
FZ1800R12KF4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM190-9,参数:配置:Triple Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:1800 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; ...
TF252-5-TL-H
TF252-5-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLR8721
IRLR8721,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=65A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MCH5908H-TL-E
MCH5908H-TL-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-5,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
BSM400GA170DL C#
BSM400GA170DL C#,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:800 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Scre...
FP10R12W1T4
FP10R12W1T4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:23-Pin EASY1B,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0...
IRF7401
IRF7401,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4072DPBF
IRGP4072DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRGP20B120UD-E
IRGP20B120UD-E,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=20A,Vce(ON)@25C typ=3.05V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8304M
IRF8304M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,Id=170A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ISL9V3040D3ST
ISL9V3040D3ST,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390 V; 最大连续集电极电流:21 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...
IRL6297SD
IRL6297SD,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SA封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=4.9mOhms,Rth(JA)=72C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP048N
IRFP048N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS3207Z
IRFS3207Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.1mOhms,Id=170A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH4234
IRFH4234,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.6mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7351
IRF7351,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=60V,VGs Max=20V,Rth(JA)=62.5(JA)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK880-GR(TE85L,F)
2SK880-GR(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:6.5 mA; 最大漏极栅极电压:-50 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...
STGW60V60DLF
STGW60V60DLF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRGS6B60K
IRGS6B60K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562