IRFB812
IRFB812,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=500V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2200.0mOhms,Id=3.6A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-GB75YF120UT
VS-GB75YF120UT,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:35-Pin ECONO2 4PAK,参数:配置:Quad; 通道类型:N; 引脚数目:35; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请...
IKQ120N60TXKSA1
IKQ120N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:160 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175...
SGW15N120FKSA1
SGW15N120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRFP260N
IRFP260N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=49A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7807
IRF7807,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4RC10UDTRLP
IRG4RC10UDTRLP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:8.5 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
FGH40N60SFDTU
FGH40N60SFDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRGC4069B
IRGC4069B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.6V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7807VD1
IRF7807VD1,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7831
IRF7831,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1324
IRF1324,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=24V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.5mOhms,Id=353A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHE4250D
IRFHE4250D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 6 x 6封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=16V,RDS(on) Max 4.5V=1.0mOhms,Rth(JA)=24C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR3707Z
IRFR3707Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.5mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SKW15N120FKSA1
SKW15N120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
J109_D26Z
J109_D26Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG4PC50KPBF
IRG4PC50KPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:52 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IKD15N60RAATMA1
IKD15N60RAATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175...
FZ2400R17HE4B9NPSA1
FZ2400R17HE4B9NPSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-B-9,参数:配置:Triple; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:2400 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 ...
IRFH4251D
IRFH4251D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 H封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=1.1mOhms,Rth(JA)=35 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562