FZ2400R12KE3
FZ2400R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:3200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRGS6B60KDPBF
IRGS6B60KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:18 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
NGTB20N60L2TF1G
NGTB20N60L2TF1G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:SC-94-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报价及...
TMD0608-4
TMD0608-4,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:16-Pin 7-BA25A,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:3000 mA; 最大门源电压:-5 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
SKP10N60AXKSA1
SKP10N60AXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFR4620
IRFR4620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=78.0mOhms,Id=24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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RJH60A01RDPD-A0#J2
RJH60A01RDPD-A0#J2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-252A-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:10 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 to ...
TF408-2-TL-H
TF408-2-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
FZ800R12KE3
FZ800R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:800 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRGB4607DPBF
IRGB4607DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及...
IRFP044N
IRFP044N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=20.0mOhms,Id=49A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-...
TF256-4-TL-H
TF256-4-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FGD3040G2_F085
FGD3040G2_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390 V; 最大连续集电极电流:25.6 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
TIG074E8-TL-H
TIG074E8-TL-H,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:ECH-8,参数:配置:Single Quad Collector Triple Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±4 V; 安装方式:Surface Mou...
PF5102
PF5102,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRGS30B60K
IRGS30B60K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=50A,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-35143-TR2G
ATF-35143-TR2G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:80 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装方...
IRGC4069B
IRGC4069B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.6V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIG056BF-1E
TIG056BF-1E,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-220F-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:430 V; 最大连续集电极电流:240 A; 最大栅极发射极电压:±33 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价及购...