注册账号 | 忘记密码
IRF8513,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=16.9mOhms,Rth(JA)=62.5 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AT24C32A-10TI27存储器,存储芯片由ATMEL原...
89S51-24PU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采...
74HC1G08GW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
ATMEGA8L-8PU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产...
89C51RC2-RLTIM单片机,微控制器由ATMEL原厂...
CD4543BM96 CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂...
SN74AHCT245NSR先进高速CMOS逻辑IC由TI原...
AT25256AW-10SU27存储器,存储芯片由ATMEL...
74AHCT02PW先进高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...