注册账号 | 忘记密码
IRF8513,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=16.9mOhms,Rth(JA)=62.5 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SN74HCT573DWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
74LVC1G02GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
74HC1G04GV高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
89C55WD-24AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产...
74LVC1G04GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
89LV55-12PI单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,...
24C128C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
CD74HC4053M96高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
AT24C08C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原...