STGW30NC120HD
STGW30NC120HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请...
MMBFJ112
MMBFJ112,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
IRFL024Z
IRFL024Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=57.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FP20R06KL4
FP20R06KL4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:EasyPIM2-20,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:20; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:07...
FZ400R17KE3
FZ400R17KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:620 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报...
IRF6216PBF-1
IRF6216PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=240.0mOhms,Qg Typ=33nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ISL9V3040D3ST
ISL9V3040D3ST,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390 V; 最大连续集电极电流:21 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...
IRF7470
IRF7470,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=40V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGB4607D
IRGB4607D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7.0A,Vce(ON)@25C typ=1.75V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3415S
IRF3415S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ34N
IRFZ34N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
IRGC5B120KB
IRGC5B120KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3306
IRFB3306,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.2mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3805S-7P
IRF3805S-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,Id=240A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGB14NC60KDT4
STGB14NC60KDT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
NGTB40N135IHRWG
NGTB40N135IHRWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1350 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报...
STGW35NB60SD
STGW35NB60SD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
TIM5964-30UL
TIM5964-30UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 7-AA05A,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:18000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRLR3705Z
IRLR3705Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562