NGTG40N120FL2WG
NGTG40N120FL2WG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报...
IRLB8743
IRLB8743,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.2mOhms,Id=150A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FP40R12KT3G
FP40R12KT3G,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:55 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
GT40QR21(STA1,E,D)
GT40QR21(STA1,E,D),绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Toshiba,封装:TO-3P(N)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0...
ISL9V3036S3ST
ISL9V3036S3ST,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大连续集电极电流:21 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRFU4620
IRFU4620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=78mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR3704Z
IRFR3704Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
5HN01C-TB-E
5HN01C-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:50 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:±20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
SKW30N60FKSA1
SKW30N60FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
CLF1G0035-100PU
CLF1G0035-100PU,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:CDFM-4,参数:配置:Dual Common Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150(Min) V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRLS3036
IRLS3036,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGB4062D
IRGB4062D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=24A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RJH60D5BDPQ-E0#T2
RJH60D5BDPQ-E0#T2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150...
IRG4BC30W-S
IRG4BC30W-S,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=12A,Vce(ON)@25C typ=2.10V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGP06N60T
IGP06N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:075...
IRLR8729
IRLR8729,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.9mOhms,Id=58A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FP35R12KT4_B11
FP35R12KT4_B11,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:23-Pin ECONO 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0...
IRG4CC30SB
IRG4CC30SB,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF5210
IRF5210,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=120.0nC,Rth(JC)=0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C=200W,Id@TC 25C=-...
IRLML6402
IRLML6402,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=65.0mOhms,Qg Typ=8.0nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562