IRF7401PBF-1
IRF7401PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBFJ308,215
PMBFJ308,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买...
FGB20N60SFD
FGB20N60SFD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
FF400R12KT3
FF400R12KT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:580 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
STGW30V60DF
STGW30V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...
IRGC15B60KD
IRGC15B60KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.8V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC15B120KD
IRGC15B120KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.46V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBFJ110,215
PMBFJ110,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
IRGP6690D
IRGP6690D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=90A,Vce(ON)@25C typ=1.65V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FP25R12KE3
FP25R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONoPIM2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...
IRGP6660DPBF
IRGP6660DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:95 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及...
DDB6U84N16RR
DDB6U84N16RR,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:17-Pin ECONO 2,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:17; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:...
IRFIB41N15D
IRFIB41N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,Id=41A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7343Q
IRF7343Q,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=55V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=65.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=170.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)10V P-ch...
IKW03N120H2FKSA1
IKW03N120H2FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:9.6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:075...
STGWT30H60DFB
STGWT30H60DFB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...
IRG4BC30S-STRLP
IRG4BC30S-STRLP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:34 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRG4IBC20UDPBF
IRG4IBC20UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11.4 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:07...
IRFS3107
IRFS3107,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=230A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR024N
IRFR024N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=75.0mOhms,Id=16A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562