NE3210S01,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Case-4 S01,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
AUIRGP4062D1-E,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:55 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRFU9024N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=175mOhms,Qg Typ=12.7nC,Rth(JC)=3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=38W,Id@TC 25C=-8A,库存实...
IRGS4064D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=10A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU7540,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ600R12KE3B1,C-SERIE,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:5-Pin 62MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:900 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购...
IRG4PC40W,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=20A,Vce(ON)@25C typ=2.05V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIG064E8-TL-H,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:ECH-8,参数:配置:Single Quad Collector Triple Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大栅极发射极电压:±4 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
STGW60V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询...
IRG4PC30F,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=17A,Vce(ON)@25C typ=1.59V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6711S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.8mOhms,Id=84A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PF5102,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IKP30N65H5XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ...
IRFS4229,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=250V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=48mOhms,Id=45A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLU2703,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=45mOhms,Id=14A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKW03N120H2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:9.6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...
IRF6629,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.1mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FF450R17ME3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:ECONOD-11,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:605 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRFS23N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGP30N60HS,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
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