IRF7807D1
IRF7807D1,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RJH1CM5DPQ-E0#T2
RJH1CM5DPQ-E0#T2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
FP30R06W1E3_B11
FP30R06W1E3_B11,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-23,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:37 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电...
VS-GB75YF120N
VS-GB75YF120N,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:35-Pin ECONO2 4PAK,参数:配置:Quad; 通道类型:N; 引脚数目:35; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致...
IRFHE4250D
IRFHE4250D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 6 x 6封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=16V,RDS(on) Max 4.5V=1.0mOhms,Rth(JA)=24C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7934
IRFH7934,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,Id=76A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL2203N
IRL2203N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC4067B
IRGC4067B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
F4-50R12KS4
F4-50R12KS4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONO 2,参数:配置:Quad; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...
IRGC4056F
IRGC4056F,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGB14C40LPBF
IRGB14C40LPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:370 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:10 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...
IRF2807S
IRF2807S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,Id=82A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7601
IRF7601,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGB14NC60KDT4
STGB14NC60KDT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请...
IRL3705NS
IRL3705NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=10.0mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGP06N60
SGP06N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
STGB35N35LZT4
STGB35N35LZT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:380 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:16 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
FP15R12KE3
FP15R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:23-Pin EASY2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:27 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:...
IRGP35B60PD
IRGP35B60PD,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=34A,Vce(ON)@25C typ=2.25V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC4273B
IRGC4273B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=100A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562