IRF9335
IRF9335,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=59.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=110.0mOhms,Qg Typ=4.7nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
MMBFJ310
MMBFJ310,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
ATF-511P8-TR2
ATF-511P8-TR2,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:LPCC-8,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:1000 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
IRF3717
IRF3717,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS400R07A1E3_H5
FS400R07A1E3_H5,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-23,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:500 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致...
STGW45HF60WDI
STGW45HF60WDI,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
IRFR3910
IRFR3910,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=115.0mOhms,Id=15A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PC30F
IRG4PC30F,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=17A,Vce(ON)@25C typ=1.59V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKW25T120
IKW25T120,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
IRGIB6B60KD
IRGIB6B60KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220 FullPak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4CC30UB
IRG4CC30UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM50GP60G
BSM50GP60G,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONoPIM3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
IRGP4063D1PBF
IRGP4063D1PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
NGTB15N135IHRWG
NGTB15N135IHRWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1350(Min) V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ...
2SK160A-T1B-A(RANK K
2SK160A-T1B-A(RANK K25),场效应晶体管,品牌:Renesas,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:20 mA; 最大门源电压:-50 V; 最大漏极栅极电压:-50 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:...
IRG4BC30F
IRG4BC30F,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=17A,Vce(ON)@25C typ=1.59V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3708
IRF3708,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FF600R12IE4
FF600R12IE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:PRIME2-8,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:8; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRFH7188
IRFH7188,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGFW40V60F
STGFW40V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3PF-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...