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IRF9328

IRF9328,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.9mOhms,RDS(on) Max 4.5V=19.7mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...

VS-GB100TS60NPBF

VS-GB100TS60NPBF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:108 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...

FF1200R17KE3_B2

FF1200R17KE3_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-10,参数:配置:Dual Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1700 A; 最大栅极发射极电压:±20...

FP25R12KS4C

FP25R12KS4C,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONO 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...

IRFH8330

IRFH8330,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.6mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

TF408-2-TL-H

TF408-2-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...

IGW03N120H2

IGW03N120H2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:9.6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...

VMMK-1218-TR1G

VMMK-1218-TR1G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SMD-3,参数:配置:Single; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:N/A to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...

IRG7PG42UD

IRG7PG42UD,IGBT模块(8-30kHz),由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1000V,Ic@100C=45A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFZ44EL

IRFZ44EL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=48A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IGP01N120H2XKSA1

IGP01N120H2XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:3.2 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0...

IRF9388

IRF9388,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=11.9mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

HGTG40N60B3

HGTG40N60B3,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:07...

IRF3007

IRF3007,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.6mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

NE3514S02-A

NE3514S02-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...

TIM6472-45SL

TIM6472-45SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...

IGB01N120H2ATMA1

IGB01N120H2ATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:3.2 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...

ATF-33143-TR2G

ATF-33143-TR2G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:305 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...

STGB20N40LZ

STGB20N40LZ,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390(Typ) V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:16 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-...

IRFR7446

IRFR7446,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.9mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562