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2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...

MMBF4416A

MMBF4416A,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRFS3004-7P

IRFS3004-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.25mOhms,Id=400A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF7488

IRF7488,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=29.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

FP75R12KE3

FP75R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONoPIM3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:105 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...

IRFP4310Z

IRFP4310Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=134A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

CLF1G0035S-100,112

CLF1G0035S-100,112,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-467B-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150(Min) V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...

SGP30N60XKSA1

SGP30N60XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...

IRF5802

IRF5802,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=1200.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFHS8242

IRFHS8242,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,Id=21A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IKW25N120T2

IKW25N120T2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:07...

IRLR2905Z

IRLR2905Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IHW25N120R2

IHW25N120R2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:07...

SGB10N60A

SGB10N60A,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838975...

IKW40N120H3FKSA1

IKW40N120H3FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single Quad Collector Triple Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大栅极发射极电压:±6 V; 安装方式:Through Hole. 询报...

HGTP12N60A4D

HGTP12N60A4D,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:54 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...

GT15Q102

GT15Q102,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Toshiba,封装:TO-3PN-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...

2N5115JTXV02

2N5115JTXV02,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 200 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRGP4263

IRGP4263,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=60A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MMBF5462

MMBF5462,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562