IRF6795M
IRF6795M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH4210D
IRFH4210D,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.1mOhms,Id=266A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL520NS
IRL520NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=180.0mOhms,Id=10A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGR4607DTRPBF
IRGR4607DTRPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及购...
IRGR2B60KDTRLPBF
IRGR2B60KDTRLPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6.3 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报...
NGD8201ANT4G
NGD8201ANT4G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:440 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±15 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8389...
IRGS30B60KTRRP
IRGS30B60KTRRP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:78 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRF7807PBF-1
IRF7807PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM5053-8SL
TIM5053-8SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:7000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FGB3440G2_F085
FGB3440G2_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-263AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:430 V; 最大连续集电极电流:26.9 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to...
TMD0608-4
TMD0608-4,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:16-Pin 7-BA25A,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:3000 mA; 最大门源电压:-5 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLB3813
IRLB3813,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.95mOhms,Id=260A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IHW20N135R5XKSA1
IHW20N135R5XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1350 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 17...
IRLR7807Z
IRLR7807Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.8mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC30WPBF
IRG4BC30WPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:23 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRG7PG35UPBF
IRG7PG35UPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1000 V; 最大连续集电极电流:55 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报价...
IRFU5410
IRFU5410,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=205mOhms,Qg Typ=38.7nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C=66W,Id@TC 25C=-8.2A,库...
ISL9V5045S3ST
ISL9V5045S3ST,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:445 V; 最大连续集电极电流:51 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
FZ2400R17KF6C_B2
FZ2400R17KF6C_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM190-9,参数:配置:Triple Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:3800 A; 最大栅极发射极电压:±20...
2SK2145-Y(TE85L,F)
2SK2145-Y(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOT-25-5,参数:配置:Dual Common Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:10 V; 最大连续漏极电流:14 mA; 最大门源电压:-1.5 V; 最大漏极栅极电压:50 V; 工作温度:-55 to 125 ...