IRLR8256
IRLR8256,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.7mOhms,Id=81A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
F3L400R12PT4_B26
F3L400R12PT4_B26,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-21,参数:配置:Quad; 通道类型:N; 引脚数目:21; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购...
IRL8113
IRL8113,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKW40T120XK
IKW40T120XK,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRFHM831
IRFHM831,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.8mOhms,Id=47A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4119A-E3
2N4119A-E3,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AF-4,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FF300R12KS4
FF300R12KS4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:370 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:...
IRF9321
IRF9321,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.2mOhms,RDS(on) Max 4.5V=11.2mOhms,Qg Typ=34.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:075...
IRGB6B60K
IRGB6B60K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RGTH40TS65GC11
RGTH40TS65GC11,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Rohm,封装:TO-247N-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询...
STGD20N40LZ
STGD20N40LZ,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390(Typ) V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:16 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-5...
IRGC4274B
IRGC4274B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=650V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8736PBF-1
IRF8736PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7331
IRF7331,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=30mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6613
IRF6613,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RJH1CV7DPQ-E0#T2
RJH1CV7DPQ-E0#T2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
FP25R12KS4C
FP25R12KS4C,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONO 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
MMBFJ176
MMBFJ176,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
TIM5964-4UL
TIM5964-4UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:3500 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IKW40N120T2FKSA1
IKW40N120T2FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...