CLF1G0035-100,112
CLF1G0035-100,112,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-467C-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150 V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7805ZPBF-1
IRF7805ZPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM0910-2
TIM0910-2,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-9D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:2600 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
SKW30N60HS
SKW30N60HS,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
U404
U404,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-71-6,参数:配置:Dual; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRGR2B60KDTRPBF
IRGR2B60KDTRPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6.3 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询报价...
IRGB4062D
IRGB4062D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=24A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC4620B
IRGC4620B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=20A,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-52189-TR1
ATF-52189-TR1,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:500 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface...
IRLL014N
IRLL014N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=140.0mOhms,Id=2.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ISL9V3040P3
ISL9V3040P3,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390 V; 最大连续集电极电流:21 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRLML0030
IRLML0030,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=27.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGIB10B60KD1
IRGIB10B60KD1,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220 FullPak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=10A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4RC10SD
IRG4RC10SD,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=8A,Vce(ON)@25C typ=1.58V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC30S
IRG4BC30S,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=18A,Vce(ON)@25C typ=1.40V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ800R12KE3
FZ800R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:800 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IHW25N120R2FKSA1
IHW25N120R2FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
IRF9395M
IRF9395M,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MC封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=11.9mOhms,Rth(JA)=60C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM15GP120
BSM15GP120,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONoPIM2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...
IRGB4B60KD1
IRGB4B60KD1,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7.6A,Vce(ON)@25C typ=2.10V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562