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STGW30N120KD

STGW30N120KD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...

IRFR9N20D

IRFR9N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=380.0mOhms,Id=9.4A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFS7434

IRFS7434,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,Id=320A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

STGB35N35LZ-1

STGB35N35LZ-1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:I2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:380 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:16 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:...

GT60J323(Q)

GT60J323(Q),绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Toshiba,封装:TO-3P(LH)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...

IRF7526D1

IRF7526D1,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=400.0mOhms,Qg Typ=7.5nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库...

BSM75GB60DLC

BSM75GB60DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 34MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...

IRLHS2242

IRLHS2242,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=31.0mOhms,Qg Typ=12.0nC,Rth(JC)=13K/W,Power Dissipation@TC 25C=9.6W,Id@TC 25C=...

IRG4CC50WB

IRG4CC50WB,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.93V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

FP20R06W1E3

FP20R06W1E3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:23-Pin EASY1B,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:27 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...

IRG4PC30UD

IRG4PC30UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=12A,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IKA10N60TXKSA1

IKA10N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11.7 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:075...

FS200R12KT4R

FS200R12KT4R,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-35,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:35; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:280 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:...

IKP30N65F5XKSA1

IKP30N65F5XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ...

SGW50N60HS

SGW50N60HS,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...

FP10R12W1T4_B3

FP10R12W1T4_B3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:20-Pin EASY1B,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:20; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...

IKQ100N60TXKSA1

IKQ100N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:160 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175...

IRF5801PBF-1

IRF5801PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

TIM1314-30L

TIM1314-30L,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 7-AA03A,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...

FGA30N60LSDTU

FGA30N60LSDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...