IRG4PC30FD
IRG4PC30FD,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=17A,Vce(ON)@25C typ=1.59V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBFJ620,115
PMBFJ620,115,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
IKP20N65F5XKSA1
IKP20N65F5XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ...
FGA15N120ANTDTU_F109
FGA15N120ANTDTU_F109,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:24 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请...
RJH60M0DPQ-E0#T2
RJH60M0DPQ-E0#T2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:45 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ...
STGW30NC60W
STGW30NC60W,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
STGF6NC60HD
STGF6NC60HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
SKB02N60ATMA1
SKB02N60ATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
STGW19NC60HD
STGW19NC60HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:42 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报...
IRFH6200
IRFH6200,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGP10NC60KD
STGP10NC60KD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
IRG7PH42UD2-EP
IRG7PH42UD2-EP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询...
NGTB25N120IHLWG
NGTB25N120IHLWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
TGI7785-25L
TGI7785-25L,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin,参数:配置:Single; 最大漏源电压:50 V; 最大连续漏极电流:8000 mA; 最大门源电压:-10 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG4BC30UDPBF
IRG4BC30UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:23 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-...
FF400R07KE4
FF400R07KE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:485 A; 最大栅极发射极电压:±20 V. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
NE3510M04-T2-A
NE3510M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:97 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式...
RGT30NS65DGTL
RGT30NS65DGTL,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Rohm,封装:TO-263S-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询...
IRFR5505
IRFR5505,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=110.0mOhms,Qg Typ=21.3nC,Rth(JC)=2.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=57W,Id@TC 25C=-18A,库...
IRL2203NS
IRL2203NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=116A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562