IRF5803D2
IRF5803D2,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=112.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=190.0mOhms,Qg Typ=25.0nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,库存...
FF900R12IP4PBOSA1
FF900R12IP4PBOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:PRIME2-8,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:8; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:900 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 1...
NGTB20N135IHRWG
NGTB20N135IHRWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1350 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃. 询报...
RJH60M5DPQ-E0#T2
RJH60M5DPQ-E0#T2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ...
IRFB5620
IRFB5620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=72.5mOhms,Id=25A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC100B60KC
IRGC100B60KC,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS150R12KT3
FS150R12KT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:42-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:42; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买...
TF256TH-4-TL-H
TF256TH-4-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:VTFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFR3411
IRFR3411,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=44.0mOhms,Id=32A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BLF644PU
BLF644PU,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-1228A-5,参数:配置:Dual Common Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:65 V; 最大门源电压:11 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8389756...
FP25R12W2T4
FP25R12W2T4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:23-Pin EASY2B,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:39 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0...
HGTP5N120BND
HGTP5N120BND,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:21 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
NGTG15N120FL2WG
NGTG15N120FL2WG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报...
IRF6643
IRF6643,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=34.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM100GB120DN2
BSM100GB120DN2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 34MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:150 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
IRG7PH50K10D
IRG7PH50K10D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=50A,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF640NL
IRF640NL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=150.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4MC50USCV
IRG4MC50USCV,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-254AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
FGB3236_F085
FGB3236_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-263AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:330 V; 最大连续集电极电流:44 A; 最大栅极发射极电压:±12 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
FF600R06ME3 TEMP
FF600R06ME3 TEMP,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:11-Pin,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:700 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 150 ...