IRF6892S
IRF6892S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET S3C封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=125A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ2400R12KE3
FZ2400R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:3200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRG8CH15K10F
IRG8CH15K10F,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=10A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGWT60V60DF
STGWT60V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...
IRGS8B60KTRLPBF
IRGS8B60KTRLPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:28 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
NGTB15N60S1EG
NGTB15N60S1EG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
STGW45HF60WDI
STGW45HF60WDI,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
IRF540Z
IRF540Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=26.5mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PH40UD2-E
IRG4PH40UD2-E,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247AD封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=21A,Vce(ON)@25C typ=2.43V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC49B120UB
IRGC49B120UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=3.39V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4RC10UDPBF
IRG4RC10UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:8.5 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRGP4063D-EPBF
IRGP4063D-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:96 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报...
IRGS6B60KDPBF
IRGS6B60KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:18 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFH4255D
IRFH4255D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 H封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=2.1mOhms,Rth(JA)=31 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PC30F
IRG4PC30F,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=17A,Vce(ON)@25C typ=1.59V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC4056F
IRGC4056F,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4229
IRFP4229,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=250V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=46.0mOhms,Id=44A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PF50WDPBF
IRG4PF50WDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:900 V; 最大连续集电极电流:51 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-...
2N4858A-E3
2N4858A-E3,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 200 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG4BC20UD-S
IRG4BC20UD-S,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=6.5A,Vce(ON)@25C typ=1.85V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562