IKP15N60TXKSA1
IKP15N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
NGB18N40ACLBT4G
NGB18N40ACLBT4G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:430 V; 最大连续集电极电流:18 A; 最大栅极发射极电压:18 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...
IRL3705N
IRL3705N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=10.0mOhms,Id=77A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC40W
IRG4BC40W,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=20A,Vce(ON)@25C typ=2.05V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PSC71KPBF
IRG4PSC71KPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-274AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:85 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRG4PH50UDPBF
IRG4PH50UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:45 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
IRF7465
IRF7465,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=280.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGTB30N120L2WG
NGTB30N120L2WG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报价...
IRGB4056D
IRGB4056D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=12A,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8734
IRF8734,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4066D
IRGP4066D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=90A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP260N
IRFP260N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=49A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7503
IRF7503,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=222mOhms,Rth(JA)=100C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DF200R12KE3
DF200R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:5-Pin 62MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:295 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFU7540
IRFU7540,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-511P8-TR2
ATF-511P8-TR2,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:LPCC-8,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:1000 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
IRG4PH40UD
IRG4PH40UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=21A,Vce(ON)@25C typ=2.43V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGS14C40LTRLP
IRGS14C40LTRLP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:370 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:10 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFSL7537
IRFSL7537,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=173A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-58143-BLKG
ATF-58143-BLKG,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surfa...