TGF4240-SCC
TGF4240-SCC,场效应晶体管,品牌:Triquint,封装:Die-6,参数:最大漏源电压:12 V; 最大门源电压:0 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF6715M
IRF6715M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PSC71KDPBF
IRG4PSC71KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-274AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:85 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRFR7546
IRFR7546,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.9mOhms,Id=71A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IHP10T120
IHP10T120,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
STGWT40V60DF
STGWT40V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...
IRFB3207
IRFB3207,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBFJ308,215
PMBFJ308,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买...
IRF1404Z
IRF1404Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.7mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6201
IRF6201,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGB35N35LZT4
STGB35N35LZT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:380 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:16 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
FGA20S140P
FGA20S140P,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1400 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
TIM4450-45SL
TIM4450-45SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
FZ3600R17HP4
FZ3600R17HP4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-9,参数:配置:Triple; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:3600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致...
FZ2400R17HE4B9NPSA1
FZ2400R17HE4B9NPSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-B-9,参数:配置:Triple; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:2400 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 ...
NE3210S01
NE3210S01,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Case-4 S01,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
NGTG25N120FL2WG
NGTG25N120FL2WG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报...
IRGC15B120UB
IRGC15B120UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=3.67V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4IBC10UDPBF
IRG4IBC10UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6.8 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:075...
F4-100R12KS4
F4-100R12KS4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:26-Pin ECONO 3,参数:配置:Quad; 通道类型:N; 引脚数目:26; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:130 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0...