IRF9910
IRF9910,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=18.3mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7CH37K10EF
IRG7CH37K10EF,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PC50FD-EPBF
IRG4PC50FD-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
ATF-55143-TR2G
ATF-55143-TR2G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; ...
IRF7910PBF-1
IRF7910PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=12V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=15mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ46ZS
IRFZ46ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.6mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGWT30V60F
STGWT30V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to...
STGE50NC60VD
STGE50NC60VD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:ISOTOP-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价...
IRG7PH30K10
IRG7PH30K10,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=23A,Vce(ON)@25C typ=2.05V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF545B,215
BF545B,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:15 mA; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
FZ2400R17HP4B28BOSA2
FZ2400R17HP4B28BOSA2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-B-9,参数:配置:Triple; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:2400 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40...
IRF9540NL
IRF9540NL,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=140W,Id@TC 25C=-2...
IRF4905S
IRF4905S,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=20.0mOhms,Qg Typ=120.0nC,Rth(JC)=0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C=170W,Id@TC 25C=-74...
STGWT60H65FB
STGWT60H65FB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 t...
VS-GB50YF120N
VS-GB50YF120N,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:35-Pin ECONO2 4PAK,参数:配置:Quad; 通道类型:N; 引脚数目:35; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:66 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电...
ATF-521P8-TR1
ATF-521P8-TR1,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:LPCC-8,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:500 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
BSM300GA170DLS
BSM300GA170DLS,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:5-Pin,参数:配置:Single Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安...
IRG7PH46U
IRG7PH46U,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=75A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4740D
IRGP4740D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=40A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FD1200R17KE3-K_B2
FD1200R17KE3-K_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-7,参数:配置:Single Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1700 A; 最大栅极发射极电压:±...