NGTB20N120IHSWG
NGTB20N120IHSWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
STGWT80H65FB
STGWT80H65FB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...
IRGP4068D
IRGP4068D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=48A,Vce(ON)@25C typ=1.65V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGIB15B60KD1
IRGIB15B60KD1,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220 FullPak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=12A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PC30W
IRG4PC30W,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=12A,Vce(ON)@25C typ=2.10V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGD18N40LZ-1
STGD18N40LZ-1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:IPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:360 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:12 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0...
IRGC4059B
IRGC4059B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.75V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7815
IRF7815,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=43.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IJW120R100T1FKSA1
IJW120R100T1FKSA1,场效应晶体管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:1200 V; 最大连续漏极电流:0.026 mA; 最大门源电压:2 V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价...
IRF6728M
IRF6728M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS50R07W1E3B11ABOMA1
FS50R07W1E3B11ABOMA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:18-Pin EASY1B,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:18; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-4...
IRGS4620DTRRPBF
IRGS4620DTRRPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:32 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价...
IRF7759L2
IRF7759L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.3mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7748L1
IRF7748L1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L6封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,Id=148A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J112_D26Z
J112_D26Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FP40R12KE3G
FP40R12KE3G,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:55 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
IRG4PC50FPBF
IRG4PC50FPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRG4IBC20KD
IRG4IBC20KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220 FullPak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=6.3A,Vce(ON)@25C typ=2.27V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-GA200HS60S1PBF
VS-GA200HS60S1PBF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-7,参数:配置:Quad; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:480 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...
IRG4PC50K
IRG4PC50K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=30A,Vce(ON)@25C typ=1.84V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562