IRFH5306
IRFH5306,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.1mOhms,Id=45A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PH40UD2-EP
IRG4PH40UD2-EP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRF1018E
IRF1018E,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=79A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ600R12KE3B1,C-SERI
FZ600R12KE3B1,C-SERIE,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:5-Pin 62MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:900 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购...
IRLHS6276
IRLHS6276,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=45mOhms,Rth(JA)=86C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGWA35HF60WDI
STGWA35HF60WDI,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRF6218S
IRF6218S,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=150.0mOhms,Qg Typ=21.0nC,Rth(JC)=0.61K/W,Power Dissipation@TC 25C=250W,Id@TC 25C=-2...
BSM200GD60DLC
BSM200GD60DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:21-Pin EconoPACK 3A,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:21; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:226 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请...
IRGP4266-EPBF
IRGP4266-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报...
IRF7807
IRF7807,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1010Z
IRF1010Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.5mOhms,Id=94A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FF800R12KF4
FF800R12KF4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-10,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:800 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRGS4062DPBF
IRGS4062DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:48 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFR1010Z
IRFR1010Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.5mOhms,Id=91A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7455
IRF7455,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=7.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMMBFJ310LT3G
SMMBFJ310LT3G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF9952
IRF9952,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=150.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=400.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=100.0mOhms,RDS(on)10V P-c...
STGWT60H65DFB
STGWT60H65DFB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...
IRG4PC50FDPBF
IRG4PC50FDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-...
IRFH8321
IRFH8321,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.9mOhms,Id=83A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562