SGW25N120
SGW25N120,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:46 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
ATF-36077-STR
ATF-36077-STR,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Case-4 77,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:3 V; 最大连续漏极电流:45 mA; 最大门源电压:-3 V; 最大漏极栅极电压:3.5 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
FD600R17KE3_B2
FD600R17KE3_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-7,参数:配置:Single Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:950 A; 最大栅极发射极电压:±20 V...
IRFI530N
IRFI530N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=110.0mOhms,Id=11A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB260N
IRFB260N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SKP04N60XKSA1
SKP04N60XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:9.4 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRGB4620D
IRGB4620D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=20A,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PC50FD-EPBF
IRG4PC50FD-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
STGW40NC60KD
STGW40NC60KD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
SGB30N60ATMA1
SGB30N60ATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
STGWT20H65FB
STGWT20H65FB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...
J111_D26Z
J111_D26Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-838975...
IRGP4078D
IRGP4078D,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=50A,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TDB6HK180N16RRBOSA1
TDB6HK180N16RRBOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:29-Pin ECONO 2,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:29; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作...
IRF3709ZS
IRF3709ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.3mOhms,Id=87A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFIB41N15D
IRFIB41N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,Id=41A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGB20NC60VT4
STGB20NC60VT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致...
IGD01N120H2
IGD01N120H2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:3.2 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRG7CH50UEF
IRG7CH50UEF,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM8596-15
TIM8596-15,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11C1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:11500 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562