IRFZ46ZS
IRFZ46ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.6mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGW25N120
SGW25N120,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:46 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
STGP7NC60H
STGP7NC60H,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
STGW60H65DF
STGW60H65DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
IHW30N110R3FKSA1
IHW30N110R3FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1100 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
IKP04N60T
IKP04N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:8 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...
SKW30N60HSFKSA1
SKW30N60HSFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRG4BC40U
IRG4BC40U,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=20A,Vce(ON)@25C typ=1.72V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFI4019H-117P
IRFI4019H-117P,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,TO-220 Full-Pak 5-Pin封装,参数为:VBrdss=150V,VGs Max=20V,Rth(JA)=65C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGD4536TM
FGD4536TM,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:360 V; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IGP50N60TXKSA1
IGP50N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
IRLML2244
IRLML2244,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=54.0mOhms,Qg Typ=6.9nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-GB90DA120U
VS-GB90DA120U,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:SOT-227-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:149 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温...
IRF6716M
IRF6716M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGA30N60H3XKSA1
IGA30N60H3XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:18 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
IRF6718L2
IRF6718L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L6封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.70mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGPS40B120UD
IRGPS40B120UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Super 247 (TO-274AA)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=40A,Vce(ON)@25C typ=3.12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6655
IRF6655,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SH封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=62.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3207
IRFB3207,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGTG20N60L2TF1G
NGTG20N60L2TF1G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-3PF-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报价...