IRLL3303
IRLL3303,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=31.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4266
IRGP4266,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=90A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6718L2
IRF6718L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L6封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.70mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSR56
BSR56,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-GB50LA120UX
VS-GB50LA120UX,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Vishay,封装:SOT-227-4,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:84 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-70MT060WSP
VS-70MT060WSP,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:MTP-16,参数:通道类型:N; 引脚数目:16; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:96 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MMBF5458
MMBF5458,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IGP03N120H2XKSA1
IGP03N120H2XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:9.6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:075...
STGWT40V60DLF
STGWT40V60DLF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. ...
IRF6729M
IRF6729M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR120N
IRFR120N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=210.0mOhms,Id=9.1A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4CC30UB
IRG4CC30UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBFJ201
MMBFJ201,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
IRGC49B120KB
IRGC49B120KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.33V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM20GP60
BSM20GP60,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONoPIM2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRF8252PBF-1
IRF8252PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.7mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL7486M
IRL7486M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ME封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.25mOhms,Id=209A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7CH30K10EF
IRG7CH30K10EF,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.15V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4690D-EPBF
IRGP4690D-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询...
HGTP12N60C3D
HGTP12N60C3D,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:24 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...