• 登录
社交账号登录

IRF5801PBF-1

IRF5801PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • 品牌:IR
  • 封装:TSOP-6 (Micro 6)
  • 描述:N沟道功率MOS管
  • Description:N-channel Power MOSFET

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
  • 品牌:IR
  • 封装:TSOP-6 (Micro 6)
  • 描述:N沟道功率MOS管
  • Description:N-channel Power MOSFET

产品推荐