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BD646-S

BD646-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|2.5@50mA@5A V; 最大集电极...

2SA1084

2SA1084,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=100mA,BVcbo=90V,BVceo=90V,BVebo=5V,hfe(Min)=250,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.2V,fr=90+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

RN2401(TE85L,F)

RN2401(TE85L,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...

2SA1012

2SA1012,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=5000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=60+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838...

BDW24C-S

BDW24C-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@3V|750@2A@3V|100@6A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2...

2N6111

2N6111,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:7 A; 最小DC直流电流增益:30@3A@4V|2.3@7A@4V; 最大工作频率:4(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...

TIP47-S

TIP47-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@10V|10@1A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.2A@1A V; 最大集电极基极电压:...

IMZ2AT108

IMZ2AT108,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:180(Typ)@NPN|140(Typ)@PNP MHz; 最大集电极发...

KSH122TF

KSH122TF,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@4A@4V|100@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|4@80mA...

MMBT1616A

MMBT1616A,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=1000mA,BVcbo=120V,BVceo=60V,BVebo=6V,hfe(Min)=135,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.3V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...

KTA1273

KTA1273,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=2000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

ZXTN19020CFFTA

ZXTN19020CFFTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23F-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:7 A; 最小DC直流电流增益:200@0.1A@2V|180@2A@2V|100@7A@2V|45@15A@2V; 最大工作频率:15...

MMBTH24-7-F

MMBTH24-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:30@8mA@10V; 最大工作频率:400(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@400...

BD135

BD135,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=1500mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=190+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

BC817,235

BC817,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...

KTA1042D

KTA1042D,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=2V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83...

DDTD142TC-7-F

DDTD142TC-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...

FMMT555TC

FMMT555TC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@10V|50@300mA@10V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...

BC869,115

BC869,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@10V|85@500mA@1V|60@1A@1V|40@2A@1V; 最大工作频率:140(Typ) MHz...

BUV48A

BUV48A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1.6A@8A|5@2.4A@12A V; 最大集电极基极电压:1000 V; 工...