DDTC114GE-7-F
DDTC114GE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
2N6487G
2N6487G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:20@5A@4V|5@15A@4V; 最大工作频率:5(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5A@5...
2SC3303
2SC3303,晶体管,三极管,TO-251S封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=80V,BVebo=7V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=20MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC4215-YTE85LF
2SC4215-YTE85LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.02 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@6V; 最大工作频率:550(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:40 V; 工作...
ULN2802A
ULN2802A,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1....
HN4C06J
HN4C06J,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SMV-5,参数:类型:NPN; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1mA@10mA V; 最大集电极基极电压:120 V; 工作温...
SN75468D
SN75468D,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
2SC5345
2SC5345,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=20mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.3V,fr=550+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HFA3127RZ
HFA3127RZ,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:QFN-16 EP,参数:类型:NPN; 引脚数量:16; 最大集电极发射极电压:8 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@2V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@...
2SC2999
2SC2999,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=30mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=3V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=200,fr=450MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMUN5313DW1T1G
SMUN5313DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
MPSA13RLRPG
MPSA13RLRPG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA@1...
PDTA123TT,215
PDTA123TT,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
ULN2002A
ULN2002A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@1...
PDTB123TT,215
PDTB123TT,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:100@50mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
DTC144TM
DTC144TM,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=100mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=100,Vo(on)=0.3V,R1=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFS17PE6752
BFS17PE6752,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.025 A; 最小DC直流电流增益:40@2mA@1V|20@25mA@1V; 最大工作频率:2500(Typ) MHz; 最大集电极发...
2SD1815T-TL-E
2SD1815T-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最大功率耗散:1000 mW. 询报价及购买请致电:0755-83897562
2SC2551
2SC2551,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=100mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=6V,hfe(Min)=30,hfe(Max)=150,Vce(sat)=0.5V,fr=80+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSVBC818-40LT1G
NSVBC818-40LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@50mA@500mA ...