LMBT3906LT1G
LMBT3906LT1G,功率晶体管,品牌:LESHAN(LRC),封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@...
2SA2202-TD-E
2SA2202-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.24@100mA@1A...
2SC4375
2SC4375,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC327-40
BC327-40,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
S8050
S8050,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1803T-TL-H
2SD1803T-TL-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.15A@3A...
DMB54D0UDW-7
DMB54D0UDW-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB54D0UDW; ...
ZTX1049ASTZ
ZTX1049ASTZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:250@10mA@2V|300@500mA@2V|300@1A@2V|200@4A@2V|35@20A@2V; ...
KTB1367
KTB1367,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=2V,fr=5+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1802
2SD1802,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.5V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...
SMMUN2116LT3G
SMMUN2116LT3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
ZXTN2040FTA
ZXTN2040FTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@5V|300@500mA@5V|200@1A@5V|35@2A@5V; 最大工作频率:150(M...
2N5088TF
2N5088TF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:300@10uA@5V|350@1mA@5V|300@10mA@5V; 最大工作频率:50(Min) MHz;...
KSD1021
KSD1021,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=1000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=130+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJ21193G
MJ21193G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:16 A; 最小DC直流电流增益:25@8A@5V; 最大工作频率:4(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.4@0.8A@8A|4@3.2A@...
KSP42TA
KSP42TA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz;...
BC857B-7-F
BC857B-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA...
MMDT3904VC-7
MMDT3904VC-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@100uA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100m...
TIP122
TIP122,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|4...
BC548BRL1G
BC548BRL1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10m...