ZX5T3ZTC
ZX5T3ZTC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:5.5 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|200@500mA@2V|170@2A@2V|110@5.5A@2V; 最大工作频率:15...
TIP42C
TIP42C,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=6000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=75,Vce(sat)=1.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SN75468DE4
SN75468DE4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Moun...
AT-41511-TR1G
AT-41511-TR1G,功率晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-143-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 最大工作频率:10000 MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-...
JANTXV2N2907A
JANTXV2N2907A,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-18-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@50...
2SA2048KT146Q
2SA2048KT146Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@2V; 最大工作频率:350(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@50mA@50...
BC849B,215
BC849B,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA...
BC33740BU
BC33740BU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V|170@300mA@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发...
MJD243T4G
MJD243T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:40@200mA@1V|15@1A@1V; 最大工作频率:40(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@50mA...
DTC144WKAT146
DTC144WKAT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:075...
MMBTA06WT1G
MMBTA06WT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
BD682S
BD682S,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A V; 最大集电极基极电...
DTD113EKT146
DTD113EKT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:33@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:075...
2SD1766
2SD1766,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=2000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.8V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...
PUMD4,115
PUMD4,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:200@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BC858B,215
BC858B,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@...
DMB54D0UDW-7
DMB54D0UDW-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB54D0UDW; ...
KSC815
KSC815,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=200mA,BVcbo=60V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.4V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMMBT3904TT1G
SMMBT3904TT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-416-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1...
BC848BW-7-F
BC848BW-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0....