PBSS4032ND,115
PBSS4032ND,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:3.5 A; 最小DC直流电流增益:300@500mA@2V|300@1A@2V|250@2A@2V|120@4A@2V|60@6A@2V; 最大工...
DTC123JM
DTC123JM,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=100mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=80,Vo(on)=0.3V,R1=2.2K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA143TUBTL
DTA143TUBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT3F-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
2SD2137A
2SD2137A,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=6V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.2V,fr=30MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTC3195
KTC3195,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=20mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=200,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCV49,135
BCV49,135,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@1mA@5V|4000@10mA@5V|10000@100mA@5...
NSVB1706DMW5T1G
NSVB1706DMW5T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-88A-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Su...
UMC4NTR
UMC4NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-5,参数:配置:Dual Common Base and Collector; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
DCP52-16-13
DCP52-16-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50m...
BCX5516H6327XTSA1
BCX5516H6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-89-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:...
IMH15AT110
IMH15AT110,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请...
DTC114WUA
DTC114WUA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=24,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SS8550DBU
SS8550DBU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@80...
PUMB2,115
PUMB2,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询...
2SA1162-Y,LF(T)
2SA1162-Y,LF(T),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:70@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@100mA V; 最大集电极基...
BFG540,215
BFG540,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143B-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.12 A; 最小DC直流电流增益:60@40mA@8V; 最大工作频率:9000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:...
KTA1241
KTA1241,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=5000mA,BVcbo=35V,BVceo=20V,BVebo=8V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.5V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJD200T4G
MJD200T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:70@500mA@1V|45@2A@1V|10@5A@2V; 最大工作频率:65(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
MPS2907A
MPS2907A,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.67V,fr=200MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PIMT1,115
PIMT1,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@5mA@50mA V;...