BCW68G
BCW68G,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:50@100uA@10V|110@10mA@1V|160@100mA@1V|60@500mA@2V; 最大工作频...
ZTX1051ASTZ
ZTX1051ASTZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:290@10mA@2V|300@1A@2V|190@4A@2V|45@10A@2V; 最大工作频率:155(Ty...
SBC847CDW1T1G
SBC847CDW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@...
FZT689BTA
FZT689BTA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:20 V; 峰值DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:500@100mA@2V|400@2A@2V|150@6A@2V; 最大...
NSS30101LT1G
NSS30101LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@50mA@5V|300@0.5A@5V|200@1A@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集...
DTA143TEBTL
DTA143TEBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT3F-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
2N4403TAR
2N4403TAR,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@2V|20@500m...
ZHB6790TA
ZHB6790TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SM8-8,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:500@100mA@2V@NPN|400@1A@2V@NPN|150@2A@2V@NPN|300@100mA@2V...
2DD2678-13
2DD2678-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:270@500mA@2V; 最大工作频率:170(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@30mA...
D45C11
D45C11,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:40@200mA@1V|20@1A@1V; 最大工作频率:32(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0...
3CG751
3CG751,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=2V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1412
2SB1412,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=6V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LMUN5111T1G
LMUN5111T1G,数字晶体管,品牌:LESHAN(LRC),封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
PDTC143TMB,315
PDTC143TMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:200@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
PDTD143XTR
PDTD143XTR,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BCW30LT1G
BCW30LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:215@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10mA V; 最大集电极基极电压:32 V; 工...
CPH5901G-TL-E
CPH5901G-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
PBSS304ND,115
PBSS304ND,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:240@0.5A@2V|190@1A@2V|115@2A@2V|70@3A@2V|45@4A@2V|35@5A@2V|...
DTC144TKAT146
DTC144TKAT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
2SC5345
2SC5345,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=20mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.3V,fr=550+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562