2SC3624-T1B-A
2SC3624-T1B-A,功率晶体管,品牌:Renesas,封装:Mini-Mold-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@5mA@50mA V; 最大集电...
MMSTA92
MMSTA92,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=310V,BVceo=305V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=200,Vce(sat)=0.2V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N6426G
2N6426G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:20000@10mA@5V|30000@100mA@5V|20000@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压...
DDTC144VCA-7-F
DDTC144VCA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:33@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
FMMT560TA
FMMT560TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:500 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|80@50mA@10V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱...
FZT788BTA
FZT788BTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:500@10mA@2V|400@1A@2V|300@2A@2V|150@6A@2V; 最大工作频率:100(Min...
NJVMJD44E3T4G
NJVMJD44E3T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@10mA@5A V; 工作温度:-55 to 1...
DTC144WM3T5G
DTC144WM3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
TIP29AG
TIP29AG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@200mA@4V|15@1A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@125m...
BCR183UE6327HTSA1
BCR183UE6327HTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SC-74-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
NE68030-A
NE68030-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:150...
CPH5905H-TL-E
CPH5905H-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
BFQ19SE6327
BFQ19SE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.21 A; 最小DC直流电流增益:40@70mA@8V; 最大工作频率:5500(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工...
MPSA14
MPSA14,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=10V,hfe(Min)=20000,Vce(sat)=1.5V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DCP55-16-13
DCP55-16-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50m...
MJD127T4
MJD127T4,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@4A@4V|100@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|4@80mA@8A V; ...
DTC014EMT2L
DTC014EMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
NSBC124EDXV6T1G
NSBC124EDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
PBSS4021PZ,115
PBSS4021PZ,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:6.6 A; 最小DC直流电流增益:250@500mA@2V|250@1A@2V|200@2A@2V|150@4A@2V|100@7A@2V;...
IMB9AT110
IMB9AT110,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562