IRFH5104
IRFH5104,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7470
IRF7470,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=40V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-33143-BLKG
ATF-33143-BLKG,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:305 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
IRFB3307Z
IRFB3307Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.8mOhms,Id=128A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR825
IRFR825,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=500V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1300.0mOhms,Id=6.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4212
IRFB4212,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=72.5mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF4416A
MMBF4416A,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFY130
IRFY130,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-257AA封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=180.0mOhms,Id=9.1A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7820
IRF7820,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=78.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR7833
IRLR7833,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL7730
IRFSL7730,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,Id=246A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP90N20D
IRFP90N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=94A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM5867-15UL
TIM5867-15UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:12000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...
IRFH8316
IRFH8316,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.95mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP048N
IRFP048N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1404Z
IRF1404Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.7mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK3557-6-TB-E
2SK3557-6-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大门源电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRF3808S
IRF3808S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7607
IRF7607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-34143-TR1G
ATF-34143-TR1G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:145 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...