IRFB42N20D
IRFB42N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=55.0mOhms,Id=42.6A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7740
IRFB7740,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.3mOhms,Id=87A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J112G
J112G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:5(Min) mA; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:-35 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRFU3709Z
IRFU3709Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=61A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7458
IRF7458,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3305
IRF3305,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF540NL
IRF540NL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=44.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL4115
IRFSL4115,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.1mOhms,Id=99A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CLF1G0060-30U
CLF1G0060-30U,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:CDFM-2,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150(Min) V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
2N5564-2
2N5564-2,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-71-6,参数:配置:Dual; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
J310G
J310G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFP3077
IRFP3077,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J111
J111,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
BF513,215
BF513,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:20 V; 最大连续漏极电流:30 mA; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
IRLML2060
IRLML2060,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=480.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR18N15D
IRFR18N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=125.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR8103V
IRLR8103V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3206
IRFB3206,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ46ZS
IRFZ46ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.6mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFI4227
IRFI4227,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,Id=26A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562