IRFS31N20D
IRFS31N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=82.0mOhms,Id=31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MX2N4856
MX2N4856,场效应晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-18-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电...
IRFP3206
IRFP3206,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7787
IRFB7787,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=76A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF4393
MMBF4393,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
IRFZ44VZS
IRFZ44VZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK596S-C
2SK596S-C,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SC-72-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRL2910
IRL2910,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=26.0mOhms,Id=48A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR7843
IRLR7843,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=161A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL3004
IRFSL3004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.75mOhms,Id=340A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TF256-5-TL-H
TF256-5-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
NE3514S02-T1C-A
NE3514S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:Renesas,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Moun...
IRFH8334
IRFH8334,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=44A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK715U
2SK715U,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SPA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
MMBFJ305
MMBFJ305,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFR3607
IRFR3607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7601
IRF7601,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR3303
IRFR3303,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=31.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR7440
IRFR7440,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLH7134
IRLH7134,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=134A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562