IRF4104
IRF4104,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.5mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7807
IRF7807,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGWT20IH125DF
STGWT20IH125DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1250 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-5...
IRG4CC50FB
IRG4CC50FB,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.45V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM200GB120DN2
BSM200GB120DN2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:290 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
BSM50GP120
BSM50GP120,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONoPIM3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...
IRGSL6B60KDPBF
IRGSL6B60KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-262-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:18 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRG4PH50K
IRG4PH50K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=24A,Vce(ON)@25C typ=2.43V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH25T120SMD_F155
FGH25T120SMD_F155,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to ...
IRG7PH30K10
IRG7PH30K10,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=23A,Vce(ON)@25C typ=2.05V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP30B120KD-EP
IRGP30B120KD-EP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
RGTH60TS65DGC11
RGTH60TS65DGC11,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Rohm,封装:TO-247N-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:58 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. ...
IRFP3306
IRFP3306,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.2mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HGTG18N120BN
HGTG18N120BN,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:54 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRFB7437
IRFB7437,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.0mOhms,Id=250A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-GA100TS60SF
VS-GA100TS60SF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:220 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRGS4715D
IRGS4715D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4760DPBF
IRGP4760DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:90 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及...
IRGC8B120KB
IRGC8B120KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.25V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PH37K10DPBF
IRG7PH37K10DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:45 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃. ...