ATF-501P8-TR1
ATF-501P8-TR1,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:LPCC-8,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:1000 mA; 最大门源电压:0.8 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surfac...
IRFB4110
IRFB4110,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3512S02-A
NE3512S02-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
FF150R12KE3G
FF150R12KE3G,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:225 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8...
FS225R12KE3
FS225R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:28-Pin ECONoPACK+,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:28; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:325 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:...
IRGS8B60K
IRGS8B60K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=19A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3805S
IRF3805S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=220A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HGTG11N120CND
HGTG11N120CND,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:43 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
MMBFJ310
MMBFJ310,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRGB10B60KD
IRGB10B60KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=12A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3415
IRF3415,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-53189-TR1
ATF-53189-TR1,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:300 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface...
STGY50NB60HD
STGY50NB60HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:Max247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
SI4435DY
SI4435DY,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=20.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=35.0mOhms,Qg Typ=40.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0...
IRF7821PBF-1
IRF7821PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.1mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLL2703
IRLL2703,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM830
IRFHM830,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.8mOhms,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBFJ108
MMBFJ108,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SuperSOT-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-838...
STGD3HF60HDT4
STGD3HF60HDT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:7.5 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致...
IRF7665S2
IRF7665S2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=62.0mOhms,Id=14.4A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562