IRF5802
IRF5802,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=1200.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH80N60FD2TU
FGH80N60FD2TU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
FS100R12KT4G_B11
FS100R12KT4G_B11,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:35-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:35; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致...
IRG4PC40K
IRG4PC40K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=25A,Vce(ON)@25C typ=2.10V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGF20H60DF
STGF20H60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55...
IRGP20B60PD
IRGP20B60PD,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=22A,Vce(ON)@25C typ=2.50V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7188
IRFH7188,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR8256
IRLR8256,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.7mOhms,Id=81A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GB10RF120K
GB10RF120K,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:24-Pin ECONO2 PIM,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:...
STGW40V60F
STGW40V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报...
IRFB3206
IRFB3206,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AUIRGPS4067D1
AUIRGPS4067D1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:Super-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:240 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRG4IBC20FDPBF
IRG4IBC20FDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:14.3 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:07...
IKP03N120H2XKSA1
IKP03N120H2XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:9.6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0...
BLF644PU
BLF644PU,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-1228A-5,参数:配置:Dual Common Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:65 V; 最大门源电压:11 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8389756...
STGD7NC60HT4
STGD7NC60HT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价...
STGP19NC60KD
STGP19NC60KD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报...
IRF7748L1
IRF7748L1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L6封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,Id=148A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC20FDPBF
IRG4BC20FDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-...
FS300R17KE3
FS300R17KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:28-Pin ECONoPACK+,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:28; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:375 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:...