IRFR3710Z
IRFR3710Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=18.0mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFL014N
IRFL014N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=160.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4062-E
IRGP4062-E,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247AD封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=24A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW60H65DRF
STGW60H65DRF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
NE3515S02-A
NE3515S02-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:88 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
IRGP50B60PD1-E
IRGP50B60PD1-E,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247AD封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=45A,Vce(ON)@25C typ=2.00V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGR4610DPBF
IRGR4610DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及购买请...
STGP10NB60S
STGP10NB60S,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:29 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRG4PC40W
IRG4PC40W,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=20A,Vce(ON)@25C typ=2.05V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FP50R12KT4
FP50R12KT4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:23-Pin ECONO 2,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0...
IRG4CC30FB
IRG4CC30FB,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.59V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGB8B60K
IRGB8B60K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=19A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH60N60UFDTU
FGH60N60UFDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRL1004
IRL1004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=130A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3703
IRF3703,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.8mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-551M4-TR2
ATF-551M4-TR2,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Mini-PAK-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; ...
NE3503M04-A
NE3503M04-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Su...
IRGP20B60PDHR
IRGP20B60PDHR,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRFS7534
IRFS7534,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=195A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3415
IRF3415,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562