IRG4PC60F
IRG4PC60F,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=60A,Vce(ON)@25C typ=1.50V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HGTG18N120BND
HGTG18N120BND,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:54 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRF5305
IRF5305,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=42.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=-31A...
IRFI540N
IRFI540N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=52.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGSL10B60KDPBF
IRGSL10B60KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-262-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:22 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
TPM2323-60
TPM2323-60,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G6A,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:26000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRFR3910
IRFR3910,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=115.0mOhms,Id=15A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7530-7P
IRFS7530-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=240A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS5615
IRFS5615,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-541M4-TR1
ATF-541M4-TR1,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Mini-PAK-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:120 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:5 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:S...
IRF1104L
IRF1104L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKP10N60TXKSA1
IKP10N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRF1018ES
IRF1018ES,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=79A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4266PBF
IRGP4266PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及...
IKZ75N65NH5XKSA1
IKZ75N65NH5XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:90 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作...
FF1000R17IE4F
FF1000R17IE4F,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:PRIME3-9,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1390 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 150 ...
IRGC20B60KC
IRGC20B60KC,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.82V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGL40N120ANTU
FGL40N120ANTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-264-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:64 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
FD401R17KF6C_B2
FD401R17KF6C_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM73-8,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:8; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:650 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
IRFHM4226
IRFHM4226,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562