STGF7NC60HD
STGF7NC60HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:10 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
IRFR7546
IRFR7546,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.9mOhms,Id=71A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR3114Z
IRLR3114Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=130A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR3717
IRLR3717,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.2mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-34143-BLKG
ATF-34143-BLKG,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:145 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
TIM0910-8
TIM0910-8,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11C1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:10400 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG4BC30KDSTRLP
IRG4BC30KDSTRLP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:28 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IKI04N60TXKSA1
IKI04N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-262-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:8 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRFS4229
IRFS4229,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=250V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=48mOhms,Id=45A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGS4B60KD1TRLP
IRGS4B60KD1TRLP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRLU3636
IRLU3636,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=6.8mOhms,Id=70A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGS4045DPBF
IRGS4045DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
STGD3HF60HDT4
STGD3HF60HDT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:7.5 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致...
IRF1104
IRF1104,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHS8342
IRFHS8342,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=19A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FD600R17KE3_B2
FD600R17KE3_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-7,参数:配置:Single Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:950 A; 最大栅极发射极电压:±20 V...
ATF-331M4-TR2
ATF-331M4-TR2,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Mini-PAK-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:305 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
FZ400R12KE3
FZ400R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:650 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRG4IBC30S
IRG4IBC30S,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220 FullPak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=13A,Vce(ON)@25C typ=1.40V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4568
IRFP4568,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=5.9mOhms,Id=171A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562