HGTG20N60A4
HGTG20N60A4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:07...
BSM100GB120DLC
BSM100GB120DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
IRF2907ZS-7P
IRF2907ZS-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.8mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FF200R12KE3
FF200R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:295 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRL3803
IRL3803,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PC40U
IRG4PC40U,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=20A,Vce(ON)@25C typ=1.72V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP35B60PD-E
IRGP35B60PD-E,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247AD封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=34A,Vce(ON)@25C typ=2.25V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGP15N120XKSA1
SGP15N120XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
FGY75N60SMD
FGY75N60SMD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:Power-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:150 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRF7807A
IRF7807A,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGW20N60H3FKSA1
IGW20N60H3FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRF7309PBF-1
IRF7309PBF-1,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=80.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=160.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)10V ...
RJH60F7ADPK-00#T0
RJH60F7ADPK-00#T0,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Renesas,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:90 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电...
IRG4PH40UD2-E
IRG4PH40UD2-E,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247AD封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=21A,Vce(ON)@25C typ=2.43V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML5103TRPBF-1
IRLML5103TRPBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=600.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=1000.0mOhms,Qg Typ=3.4nC,Rth(JC)=230 (J...
BF1108R,235
BF1108R,235,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143R-4,参数:配置:Single Dual Gate; 最大漏源电压:3 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:7 V; 最大漏极栅极电压:7 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BSR56
BSR56,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF3007S
IRF3007S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.6mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-53189-BLK
ATF-53189-BLK,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:300 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface...
FF600R12ME4
FF600R12ME4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-11,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:...