IRF7606
IRF7606,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=150.0mOhms,Qg Typ=20.0nC,Rth(JC)=70 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致...
STGW40NC60V
STGW40NC60V,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRG4PSH71UDPBF
IRG4PSH71UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-274AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:99 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
BSM15GD120DN2
BSM15GD120DN2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:17-Pin ECONOPACK 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:17; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致...
IRLL014N
IRLL014N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=140.0mOhms,Id=2.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGB15B60KD
IRGB15B60KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKP06N60T
IKP06N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:075...
STGW35NB60SD
STGW35NB60SD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
TF256-4-TL-H
TF256-4-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLR8726
IRLR8726,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.8mOhms,Id=86A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS25R12KT3
FS25R12KT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:28-Pin ECONO 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:28; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRF7759L2
IRF7759L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.3mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PH28UD1
IRG7PH28UD1,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TF262TH-5-TL-H
TF262TH-5-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-623-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FZ2400R17HP4B28BOSA2
FZ2400R17HP4B28BOSA2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-B-9,参数:配置:Triple; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:2400 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40...
IRFH8324
IRFH8324,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.1mOhms,Id=90A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF861B,235
BF861B,235,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRGC14C40LD
IRGC14C40LD,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=400V,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7805
IRF7805,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP20B120U-E
IRGP20B120U-E,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=20A,Vce(ON)@25C typ=3.05V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562