RGTH60TS65GC11
RGTH60TS65GC11,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Rohm,封装:TO-247N-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:58 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询...
IRFH7936
IRFH7936,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,Id=76A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS200R12KT4R
FS200R12KT4R,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-35,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:35; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:280 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电:...
IRF7324PBF-1
IRF7324PBF-1,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=18mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8010
IRF8010,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1018ESL
IRF1018ESL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=79A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PH50S-E
IRG4PH50S-E,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247AD封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=33A,Vce(ON)@25C typ=1.47V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3709
IRF3709,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=90A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGWT80V60F
STGWT80V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...
GB50RF60K
GB50RF60K,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:24-Pin ECONO2 PIM,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...
IRFHM792
IRFHM792,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3 E封装,参数为:VBrdss=100V,VGs Max=20V,Rth(JA)=55C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGB8207BNT4G
NGB8207BNT4G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:365 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±15 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG7PH42U-EP
IRG7PH42U-EP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:90 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
FS100R07N3E4_B11
FS100R07N3E4_B11,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-35,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:35; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请...
IGW30N60H3
IGW30N60H3,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRFH7194
IRFH7194,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.4mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGP15N60T
IGP15N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:075...
SKW20N60HS
SKW20N60HS,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:36 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
IRF7424PBF-1
IRF7424PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,RDS(on) Max 4.5V=22.0mOhms,Qg Typ=75nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电...
FGA25N120ANTDTU
FGA25N120ANTDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:07...