IRF1404L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=162A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6636,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ST封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKP20N60TXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFSL3006,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLU7843,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=113A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGSL4062DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-262-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:48 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFZ34NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=29A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IHW40N65R5XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ...
SGW15N120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
FS50R12KT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:28-Pin ECONO 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:28; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
VS-GB300TH120N,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:500 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 150...
IRGS4607D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7.0A,Vce(ON)@25C typ=1.75V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ1800R12KL4C,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM190-9,参数:配置:Triple Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:2850 A; 最大栅极发射极电压:±20 V;...
IRFS7540,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.1mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7437,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=250A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4063PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:96 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7904PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VGs Max=20V,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM1011-15L,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11C1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:11500 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRG7PH44K10D-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃...
IKZ50N65EH5XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:85 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作...
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