M8050S
M8050S,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=800mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=6V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTC143ESATP
DTC143ESATP,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SPT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
PDTC114YM,315
PDTC114YM,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
MJD44H11T4-A
MJD44H11T4-A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; ...
MJH11020G
MJH11020G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:200 V; 峰值DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:100@15A@5V|400@10A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@100mA@10A|4@15...
BD675G
BD675G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:45 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A V; 最大集电极基极电压:45 V; ...
2N6487G
2N6487G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:20@5A@4V|5@15A@4V; 最大工作频率:5(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5A@5...
BSR30,115
BSR30,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:10@100uA@5V|40@100mA@5V|30@500mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集...
DDTB114GC-7-F
DDTB114GC-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
DIMD10A-7
DIMD10A-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838975...
2SC6144SG
2SC6144SG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220F-3SG,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:200@270mA@2V; 最大工作频率:330(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.36@300mA...
NSVMMBT6517LT1G
NSVMMBT6517LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:350(Min) V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:20@1mA@10V|30@10mA@10V|30@30mA@10V|20@50mA@10V|1...
BC860BWH6327XTSA1
BC860BWH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
DTC114WKAT146
DTC114WKAT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:24@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:07...
NSL12AWT1
NSL12AWT1,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@0.5A@1.5V|100@0.8A@1.5V|100@1A@1.5V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最...
PRF949,115
PRF949,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:100@5mA@6V|150(Typ)@15mA@6V; 最大工作频率:9000(Typ) MHz; 最大集电极基极...
STLD128DN-1
STLD128DN-1,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:IPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|8@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.2A@1A|1....
BUL128D-B
BUL128D-B,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|12@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@0.1A@0....
MPS2907
MPS2907,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.67V,fr=200MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCR10PNH6730XTMA1
BCR10PNH6730XTMA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surf...