TIP100-S
TIP100-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@4V|200@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@6mA@3A|2.5@80mA@...
DST847BDJ-7
DST847BDJ-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-963-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@10uA@5V|200@2mA@5V; 最大工作频率:170(Typ) MHz; 最大集电极发射极...
UPA801T-T1-A
UPA801T-T1-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:70@7mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:20...
2SD2701TL
2SD2701TL,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TUMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:270@100mA@2V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.35@50mA@1A V...
BD179G
BD179G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:63@0.15A@2V|15@1A@2V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.8@0.1A@1A...
MJD31CT4
MJD31CT4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-252-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:20@500mA@10V|3@0.5A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375m...
ZUMT720TA
ZUMT720TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.75 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|300@100mA@2V|90@500mA@2V|40@750mA@2V|20@1A...
KSE45H11TU
KSE45H11TU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V; 最大工作频率:40(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8...
MJD31C1G
MJD31C1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:IPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A ...
BSR33
BSR33,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=90V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MUN5213DW1T3G
MUN5213DW1T3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
2SC4618TLP
2SC4618TLP,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:82@1mA@6V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1mA@10mA V...
BCX70J
BCX70J,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=200mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=250,hfe(Max)=460,Vce(sat)=0.55V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BUJ403A/DG,127
BUJ403A/DG,127,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:550 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:13@1mA@5V|20@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@2A V; 最大集电...
DTA143EUBTL
DTA143EUBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT3F-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
DTC114EEBTL
DTC114EEBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT3F-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:075...
2SB1182
2SB1182,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=2000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.8V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83...
DS2003TM/NOPB
DS2003TM/NOPB,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16 N,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:55 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100m...
NE68030-A
NE68030-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:150...
2SC4614T-AN
2SC4614T-AN,功率晶体管,品牌:ON,封装:NMP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.45@50mA@500m...