NSBC114EPDXV6T1G
NSBC114EPDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
ULN2003ADG4
ULN2003ADG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Moun...
KTC4375
KTC4375,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RN1317(TE85L,F)
RN1317(TE85L,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
STN888
STN888,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:120@10mA@1V|100@500mA@1V|70@5A@1V|55(Typ)@8A@1V|...
FZT600BTA
FZT600BTA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:140 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:5000@50mA@10V|10000@500mA@10V|5000@...
ULN2004AIN
ULN2004AIN,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@500uA@350mA V; ...
DDA143TH-7
DDA143TH-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
MPSA56RLRPG
MPSA56RLRPG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
2SB1202
2SB1202,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.7V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...
NE97833-A
NE97833-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:20@15mA@10V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:200...
IMD14T108
IMD14T108,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:82@100mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:075...
FJP5027OTU
FJP5027OTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:800 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:20@200mA@5V; 最大工作频率:15(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:2@0.3A@...
MPSA06
MPSA06,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=4V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.25V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S9014
S9014,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=450mW,Ic=100mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=1000,Vce(sat)=0.3V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBT4401LT1G
MMBT4401LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:20@0.1mA@1V|40@1mA@1V|80@10mA@1V|100@150mA@1V|40@500mA@2V...
APT13003HZTR-G1
APT13003HZTR-G1,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:465(Min) V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:15@0.3A@2V|13@0.5A@2V|5@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0...
BD435
BD435,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=4000mA,BVcbo=32V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.5V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1569AE
2SB1569AE,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TO-220FN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:-160 V; 最大DC直流集电极电流:-1.5 A; 最小DC直流电流增益:100@-1A@-5V; 最大集电极发射极饱和电压:-2@-0.1A@-1A V; 最大集电极基极电压:-...
MAT02EH
MAT02EH,功率晶体管,品牌:ADI,封装:TO-78-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.02 A; 最小DC直流电流增益:500@1mA|500@100uA|400@10uA|300@1uA; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电...