2PC4081S,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:270@1mA@6V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@5mA@50...
FZT593TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V|100@250mA@5V|100@500mA@5V|50@1A@5V; 最大工作频率:50(...
BC817-25,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射...
BFU520XAR,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143B-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:60@5mA@8V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 最大功率耗散:450 mW; 安装方式:Surfac...
NSBC123JDXV6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
BC337RL1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|60@300mA@1V; 最大工作频率:210(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0...
KSD471A,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=800mW,Ic=1000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=130+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
EMG8T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...
BCX19LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|70@300mA@1V|40@500mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.62@50mA...
BCR521E6327HTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:20@50mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface...
KSC1008YBU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.7 A; 最小DC直流电流增益:120@50mA@2V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50m...
2SC2712-GR(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
SD1730,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:Case-4 M-174,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:35 V; 最大DC直流集电极电流:16 A; 最小DC直流电流增益:15@7A@5V; 最大集电极基极电压:70 V; 工作温度:-65 to 200 ℃;...
ULN2801A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电...
2SB1189T100R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.7 A; 最小DC直流电流增益:180@0.1A@3V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@50...
BD434,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=4000mA,BVcbo=22V,BVceo=22V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.5V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RN2110MFV,L3F,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
MMBTA42,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz...
2N2369A,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-18-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最小DC直流电流增益:40@10mA@0.35V|30@30mA@0.4V|40@10mA@1V|20@100mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@1mA@10m...
2SA1419T-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...
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